NTLJS3D0N02P8ZTAG规格参数_ntljs3d0n02p8ztag现货热销【斯普仑】

NTLJS3D0N02P8ZTAG

制造商：onsemi

封装外壳：6-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN

2982 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTLJS3D0N02P8ZTAG，现有足量库存。NTLJS3D0N02P8ZTAG的封装/规格参数为:6-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTLJS3D0N02P8ZTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTLJS3D0N02P8ZTAG的详细使用方法及教程。

NTLJS3D0N02P8ZTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTLJS3D0N02P8ZTAG
描述	MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
制造商	onsemi
库存	2982
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.8mOhm @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	21 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2165 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	860mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-PQFN（2x2）
封装/外壳	6-PowerWDFN

NTLJS3D0N02P8ZTAG

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心