DMP2010UFG-7规格参数_dmp2010ufg-7现货热销【斯普仑】

DMP2010UFG-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333

3466 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP2010UFG-7，现有足量库存。DMP2010UFG-7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP2010UFG-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP2010UFG-7的详细使用方法及教程。

DMP2010UFG-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP2010UFG-7
描述	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
制造商	Diodes Incorporated
库存	3466
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.7A（Ta），42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.5 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	103 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3350 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	900mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerDI3333-8
封装/外壳	8-PowerVDFN

DMP2010UFG-7

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