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DMP1011UCB9-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：9-UFBGA，WLBGA

描述：MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9

3981 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP1011UCB9-7，现有足量库存。DMP1011UCB9-7的封装/规格参数为:9-UFBGA，WLBGA；同时斯普仑现货为您提供DMP1011UCB9-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP1011UCB9-7的详细使用方法及教程。

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DMP1011UCB9-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMP1011UCB9-7
描述 MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
制造商 Diodes Incorporated
库存 3981
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1060 pF @ 4 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 890mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 U-WLB1515-9
封装/外壳 9-UFBGA，WLBGA

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