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SSM6K202FE,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：SOT-563，SOT-666

描述：MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

9357 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6K202FE,LF，现有足量库存。SSM6K202FE,LF的封装/规格参数为:SOT-563，SOT-666；同时斯普仑现货为您提供SSM6K202FE,LF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6K202FE,LF的详细使用方法及教程。

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SSM6K202FE,LF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 SSM6K202FE,LF
描述 MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 9357
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 85 毫欧 @ 1.5A，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 270 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 ES6
封装/外壳 SOT-563，SOT-666

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