NTNUS3171PZT5G规格参数_ntnus3171pzt5g现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-1123

描述：MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123

6639 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTNUS3171PZT5G，现有足量库存。NTNUS3171PZT5G的封装/规格参数为:SOT-1123；同时斯普仑现货为您提供NTNUS3171PZT5G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTNUS3171PZT5G的详细使用方法及教程。

NTNUS3171PZT5G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTNUS3171PZT5G
描述	MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
制造商	onsemi
库存	6639
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	150mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	13 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-1123
封装/外壳	SOT-1123