RV1C001ZPT2L规格参数_rv1c001zpt2l现货热销【斯普仑】

RV1C001ZPT2L

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：3-SMD，无引线

描述：MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806

3845 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RV1C001ZPT2L，现有足量库存。RV1C001ZPT2L的封装/规格参数为:3-SMD，无引线；同时斯普仑现货为您提供RV1C001ZPT2L数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RV1C001ZPT2L的详细使用方法及教程。

RV1C001ZPT2L产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RV1C001ZPT2L
描述	MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
制造商	Rohm Semiconductor
库存	3845
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	15 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	100mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	VML0806
封装/外壳	3-SMD，无引线

RV1C001ZPT2L

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