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G3R12MT12K

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：TO-247-4

描述：1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

2883 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的G3R12MT12K，现有足量库存。G3R12MT12K的封装/规格参数为:TO-247-4；同时斯普仑现货为您提供G3R12MT12K数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G3R12MT12K的详细使用方法及教程。

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G3R12MT12K产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 G3R12MT12K
描述 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
制造商 GeneSiC Semiconductor
库存 2883
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 157A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13 毫欧 @ 100A， 18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.7V @ 50mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 288 nC @ 15 V
Vgs（最大值） +22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9335 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 567W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-4
封装/外壳 TO-247-4

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