G3R20MT12N规格参数_g3r20mt12n现货热销【斯普仑】

G3R20MT12N

制造商：GeneSiC Semiconductor

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：SIC MOSFET N-CH 105A SOT227

4672 现货

斯普仑电子元件现货为您提供GeneSiC Semiconductor设计生产的G3R20MT12N，现有足量库存。G3R20MT12N的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供G3R20MT12N数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有G3R20MT12N的详细使用方法及教程。

G3R20MT12N产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	G3R20MT12N
描述	SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
制造商	GeneSiC Semiconductor
库存	4672
系列	G3R™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	105A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 毫欧 @ 60A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.69V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	219 nC @ 15 V
Vgs（最大值）	+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5873 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	365W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	SOT-227
封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC

G3R20MT12N

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