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IXFN110N60P3

制造商：IXYS

封装外壳：SOT-227-4，miniBLOC

描述：MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B

3575 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFN110N60P3，现有足量库存。IXFN110N60P3的封装/规格参数为:SOT-227-4，miniBLOC；同时斯普仑现货为您提供IXFN110N60P3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFN110N60P3的详细使用方法及教程。

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IXFN110N60P3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFN110N60P3
描述 MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
制造商 IXYS
库存 3575
系列 HiPerFET™, Polar3™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 56 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 245 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 18000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1500W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

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