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NTH4L022N120M3S

制造商：onsemi

封装外壳：TO-247-4

描述：SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

5113 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTH4L022N120M3S，现有足量库存。NTH4L022N120M3S的封装/规格参数为:TO-247-4；同时斯普仑现货为您提供NTH4L022N120M3S数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTH4L022N120M3S的详细使用方法及教程。

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NTH4L022N120M3S产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTH4L022N120M3S
描述 SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
制造商 onsemi
库存 5113
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 30 毫欧 @ 40A， 18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.4V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 151 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3175 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 352W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-4L
封装/外壳 TO-247-4

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