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制造商：Micron Technology Inc.
封装外壳：-
描述：IC FLASH 6TB PARALLEL 267MHZ
斯普仑电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR，现有足量库存。MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR的详细使用方法及教程。
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| MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 制造商零件编号 | MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR |
| 描述 | IC FLASH 6TB PARALLEL 267MHZ |
| 库存 | 3511 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 技术 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 6Tb（768G x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 267 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - |
| 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | - |
| 封装/外壳 | - |
| 供应商器件封装 | - |
