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制造商：Micron Technology Inc.
封装外壳：200-VFBGA
描述：IC MEMORY DRAM 64G 2GX32 FBGA
斯普仑电子元件现货为您提供Micron Technology Inc.设计生产的MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR，现有足量库存。MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR的封装/规格参数为:200-VFBGA；同时斯普仑现货为您提供MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR的详细使用方法及教程。
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| MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 制造商零件编号 | MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR |
| 描述 | IC MEMORY DRAM 64G 2GX32 FBGA |
| 库存 | 4116 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 存储容量 | 64Gb（2G x 32） |
| 存储器接口 | - |
| 时钟频率 | 2.133 GHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - |
| 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 1.1V |
| 工作温度 | -30°C ~ 85°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 200-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 200-VFBGA（10x14.5） |
