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制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
封装外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
斯普仑电子元件现货为您提供ISSI, Integrated Silicon Solution Inc设计生产的IS45S16160J-6TLA1 -TR，现有足量库存。IS45S16160J-6TLA1 -TR的封装/规格参数为:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IS45S16160J-6TLA1 -TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IS45S16160J-6TLA1 -TR的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供ISSI, Integrated Silicon Solution Inc设计生产的IS45S16160J-6TLA1 -TR，现有足量库存。IS45S16160J-6TLA1 -TR的封装/规格参数为:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供IS45S16160J-6TLA1 -TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IS45S16160J-6TLA1 -TR的详细使用方法及教程。
| IS45S16160J-6TLA1 -TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 制造商零件编号 | IS45S16160J-6TLA1 -TR |
| 描述 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
| 库存 | 4640 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM |
| 存储容量 | 256Mb（16M x 16） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | - |
| 访问时间 | 5.4 ns |
| 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
