欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

W987D2HBJX7E TR

制造商:Winbond Electronics

封装外壳:90-TFBGA

描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

4365 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Winbond Electronics设计生产的W987D2HBJX7E TR,现有足量库存。W987D2HBJX7E TR的封装/规格参数为:90-TFBGA;同时斯普仑现货为您提供W987D2HBJX7E TR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有W987D2HBJX7E TR的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Winbond Electronics设计生产的W987D2HBJX7E TR,现有足量库存。W987D2HBJX7E TR的封装/规格参数为:90-TFBGA;同时斯普仑现货为您提供W987D2HBJX7E TR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有W987D2HBJX7E TR的详细使用方法及教程。

W987D2HBJX7E TR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商 Winbond Electronics
制造商零件编号 W987D2HBJX7E TR
描述 IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
库存 4365
系列 -
包装 卷带(TR)
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - 移动 LPSDR
存储容量 128Mb(4M x 32)
存储器接口 并联
时钟频率 133 MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 5.4 ns
电压 - 供电 1.7V ~ 1.95V
工作温度 -25°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 90-TFBGA
供应商器件封装 90-VFBGA(8x13)

为智能时代加速到来而付出“真芯”