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GDZT2R6.8B

制造商:Rohm Semiconductor

封装外壳:0201(0603 公制)

描述:DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2

3015 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的GDZT2R6.8B,现有足量库存。GDZT2R6.8B的封装/规格参数为:0201(0603 公制);同时斯普仑现货为您提供GDZT2R6.8B数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有GDZT2R6.8B的详细使用方法及教程。

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GDZT2R6.8B产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 GDZT2R6.8B
描述 DIODE ZENER 6.8V 100MW GMD2
制造商 Rohm Semiconductor
库存 3015
系列 -
包装 卷带(TR)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 100 mW
阻抗(最大值)(Zzt) -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 500 nA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) -
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 0201(0603 公制)
供应商器件封装 GMD2

为智能时代加速到来而付出“真芯”