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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-219AB
描述：DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZD27B3V9P-HM3-08，现有足量库存。BZD27B3V9P-HM3-08的封装/规格参数为:DO-219AB；同时斯普仑现货为您提供BZD27B3V9P-HM3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BZD27B3V9P-HM3-08的详细使用方法及教程。
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| BZD27B3V9P-HM3-08产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BZD27B3V9P-HM3-08 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 8061 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 3.9 V |
| 容差 | ±2% |
| 功率 - 最大值 | 800 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 1 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2 V @ 200 mA |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-219AB |
| 供应商器件封装 | DO-219AB（SMF） |
