欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

BZS55C3V9 RXG

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳:1206(3216 公制)

描述:DIODE ZENER 3.9V 500MW 1206

8369 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的BZS55C3V9 RXG,现有足量库存。BZS55C3V9 RXG的封装/规格参数为:1206(3216 公制);同时斯普仑现货为您提供BZS55C3V9 RXG数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BZS55C3V9 RXG的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的BZS55C3V9 RXG,现有足量库存。BZS55C3V9 RXG的封装/规格参数为:1206(3216 公制);同时斯普仑现货为您提供BZS55C3V9 RXG数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BZS55C3V9 RXG的详细使用方法及教程。

BZS55C3V9 RXG产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BZS55C3V9 RXG
描述 DIODE ZENER 3.9V 500MW 1206
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 8369
系列 -
包装 卷带(TR)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.9 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 85 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.5 V @ 10 mA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 1206(3216 公制)
供应商器件封装 1206

为智能时代加速到来而付出“真芯”