欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149
制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23-3
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZX84C3V3-HE3-08，现有足量库存。BZX84C3V3-HE3-08的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BZX84C3V3-HE3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BZX84C3V3-HE3-08的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZX84C3V3-HE3-08，现有足量库存。BZX84C3V3-HE3-08的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BZX84C3V3-HE3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BZX84C3V3-HE3-08的详细使用方法及教程。
| BZX84C3V3-HE3-08产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BZX84C3V3-HE3-08 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23-3 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 8697 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, BZX84 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 3.3 V |
| 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 µA @ 1 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
