欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149
制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：0402（1006 公制）
描述：ZENER DIODE DFN1006-2A
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZX884B5V1L-G3-08，现有足量库存。BZX884B5V1L-G3-08的封装/规格参数为:0402（1006 公制）；同时斯普仑现货为您提供BZX884B5V1L-G3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BZX884B5V1L-G3-08的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZX884B5V1L-G3-08，现有足量库存。BZX884B5V1L-G3-08的封装/规格参数为:0402（1006 公制）；同时斯普仑现货为您提供BZX884B5V1L-G3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BZX884B5V1L-G3-08的详细使用方法及教程。
| BZX884B5V1L-G3-08产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BZX884B5V1L-G3-08 |
| 描述 | ZENER DIODE DFN1006-2A |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 2324 |
| 系列 | BZX884L |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 5.1 V |
| 容差 | ±2% |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 60 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2 µA @ 2 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900 mV @ 10 mA |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装 | DFN1006-2A |
