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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
描述：DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZX55C5V6-TAP，现有足量库存。BZX55C5V6-TAP的封装/规格参数为:DO-204AH，DO-35，轴向；同时斯普仑现货为您提供BZX55C5V6-TAP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BZX55C5V6-TAP的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的BZX55C5V6-TAP，现有足量库存。BZX55C5V6-TAP的封装/规格参数为:DO-204AH，DO-35，轴向；同时斯普仑现货为您提供BZX55C5V6-TAP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BZX55C5V6-TAP的详细使用方法及教程。
| BZX55C5V6-TAP产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | BZX55C5V6-TAP |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 库存 | 8736 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, BZX55 |
| 包装 | 剪切带（CT） , 带盒（TB） |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 5.6 V |
| 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 500 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100 nA @ 1 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.5 V @ 200 mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商器件封装 | DO-35（DO-204AH） |
