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1N5256B-TR

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

封装外壳:DO-204AH,DO-35,轴向

描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35

2437 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的1N5256B-TR,现有足量库存。1N5256B-TR的封装/规格参数为:DO-204AH,DO-35,轴向;同时斯普仑现货为您提供1N5256B-TR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有1N5256B-TR的详细使用方法及教程。

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1N5256B-TR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 1N5256B-TR
描述 DIODE ZENER 30V 500MW DO35
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 2437
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 30 V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 49 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 100 nA @ 23 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 200 mA
工作温度 -65°C ~ 175°C
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35(DO-204AH)

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