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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
描述：IC MTR DRV BIPLR 2.7-5.5V 20SSOP
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TB6608FNG,C8,EL，现有足量库存。TB6608FNG,C8,EL的封装/规格参数为:20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供TB6608FNG,C8,EL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TB6608FNG,C8,EL的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TB6608FNG,C8,EL，现有足量库存。TB6608FNG,C8,EL的封装/规格参数为:20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供TB6608FNG,C8,EL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TB6608FNG,C8,EL的详细使用方法及教程。
| TB6608FNG,C8,EL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TB6608FNG,C8,EL |
| 描述 | IC MTR DRV BIPLR 2.7-5.5V 20SSOP |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 7782 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 电机类型 - 步进 | 双极性 |
| 电机类型 - AC，DC | - |
| 功能 | 驱动器 - 全集成，控制和功率级 |
| 输出配置 | 半桥（4） |
| 接口 | 并联 |
| 技术 | 功率 MOSFET |
| 步进分辨率 | 1，1/2，1/4，1/8 |
| 应用 | 通用 |
| 电流 - 输出 | 600mA |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 5.5V |
| 电压 - 负载 | 2.5V ~ 13.5V |
| 工作温度 | -20°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 20-SSOP |
