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制造商：Vishay Siliconix
封装外壳：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
描述：IC ANALOG SWITCH DUAL 10MSOP
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的DG2535EDQ-T1-GE3，现有足量库存。DG2535EDQ-T1-GE3的封装/规格参数为:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供DG2535EDQ-T1-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DG2535EDQ-T1-GE3的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的DG2535EDQ-T1-GE3，现有足量库存。DG2535EDQ-T1-GE3的封装/规格参数为:10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供DG2535EDQ-T1-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DG2535EDQ-T1-GE3的详细使用方法及教程。
| DG2535EDQ-T1-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DG2535EDQ-T1-GE3 |
| 描述 | IC ANALOG SWITCH DUAL 10MSOP |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 库存 | 5134 |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| 开关电路 | SPDT |
| 多路复用器/解复用器电路 | 0.084027777777778 |
| 电路数 | 2 |
| 导通电阻（最大值） | 500 毫欧 |
| 通道至通道匹配 (ΔRon) | 60 毫欧 |
| 电压 - 电源，单 (V+) | 1.65V ~ 5.5V |
| 电压 - 供电，双 (V±) | - |
| 开关时间 (Ton, Toff)（最大值） | 78ns，58ns |
| -3db 带宽 | 120MHz |
| 电荷注入 | - |
| 沟道电容 (CS(off)，CD(off)) | - |
| 电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值） | - |
| 串扰 | -90dB @ 100kHz |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 10-MSOP |
