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制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：TVS DIODE 8VWM 19.2VC SOT23-3
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的GSOT08C-E3-08，现有足量库存。GSOT08C-E3-08的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供GSOT08C-E3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GSOT08C-E3-08的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Vishay General Semiconductor - Diodes Division设计生产的GSOT08C-E3-08，现有足量库存。GSOT08C-E3-08的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供GSOT08C-E3-08数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有GSOT08C-E3-08的详细使用方法及教程。
| GSOT08C-E3-08产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | GSOT08C-E3-08 |
| 制造商 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 描述 | TVS DIODE 8VWM 19.2VC SOT23-3 |
| 库存 | 1645 |
| 包装 | 卷带（TR）,剪切带（CT） |
| 系列 | - |
| 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 8V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 9V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 19.2V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 18A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 345W |
| 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 160pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
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