ESDL2012MX4T5G二极管_esdl2012mx4t5g规格参数【斯普仑】

400-900-8690

ESDL2012MX4T5G

制造商：onsemi

封装外壳：0201（0603 公制）

描述：TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

7035 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的ESDL2012MX4T5G，现有足量库存。ESDL2012MX4T5G的封装/规格参数为:0201（0603 公制）；同时斯普仑现货为您提供ESDL2012MX4T5G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ESDL2012MX4T5G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

ESDL2012MX4T5G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ESDL2012MX4T5G
制造商	onsemi
描述	TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN
库存	7035
包装	卷带（TR）,剪切带（CT）
系列	-
类型	齐纳
单向通道	-
双向通道	1
电压 - 反向断态（典型值）	1V（最大）
电压 - 击穿（最小值）	1.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）	5.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)	8A
功率 - 峰值脉冲	-
电源线路保护	无
应用	USB
不同频率时电容	0.18pF @ 1MHz
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	0201（0603 公制）
供应商器件封装	2-DFN（0.6x0.3）