MMBZ27VALT1G二极管_mmbz27valt1g规格参数【斯普仑】

400-900-8690

MMBZ27VALT1G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3

3474 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的MMBZ27VALT1G，现有足量库存。MMBZ27VALT1G的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供MMBZ27VALT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MMBZ27VALT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

MMBZ27VALT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	MMBZ27VALT1G
制造商	onsemi
描述	TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3
库存	3474
包装	卷带（TR）,剪切带（CT）
系列	-
类型	齐纳
单向通道	2
双向通道	1
电压 - 反向断态（典型值）	22V
电压 - 击穿（最小值）	25.65V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）	40V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)	1A
功率 - 峰值脉冲	40W
电源线路保护	无
应用	通用
不同频率时电容	-
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）