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TLC272IDR

制造商:Texas Instruments

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC

2176 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的TLC272IDR,现有足量库存。TLC272IDR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供TLC272IDR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TLC272IDR的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的TLC272IDR,现有足量库存。TLC272IDR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供TLC272IDR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TLC272IDR的详细使用方法及教程。

TLC272IDR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TLC272IDR
描述 IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商 Texas Instruments
库存 2176
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
放大器类型 CMOS
电路数 2
输出类型 -
压摆率 5.3V/µs
增益带宽积 2.2 MHz
-3db 带宽 -
电流 - 输入偏置 0.7 pA
电压 - 输入补偿 900 µV
电流 - 供电 1.4mA(x2 通道)
电流 - 输出/通道 30 mA
电压 - 跨度(最小值) 4 V
电压 - 跨度(最大值) 16 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”