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LM358DR

制造商:Texas Instruments

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

1331 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的LM358DR,现有足量库存。LM358DR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供LM358DR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有LM358DR的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的LM358DR,现有足量库存。LM358DR的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供LM358DR数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有LM358DR的详细使用方法及教程。

LM358DR产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 LM358DR
描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商 Texas Instruments
库存 1331
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
放大器类型 通用
电路数 2
输出类型 -
压摆率 0.3V/µs
增益带宽积 700 kHz
-3db 带宽 -
电流 - 输入偏置 20 nA
电压 - 输入补偿 3 mV
电流 - 供电 500µA(x2 通道)
电流 - 输出/通道 40 mA
电压 - 跨度(最小值) 3 V
电压 - 跨度(最大值) 30 V
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”