欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

NCV20072DR2G

制造商:onsemi

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

4006 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NCV20072DR2G,现有足量库存。NCV20072DR2G的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供NCV20072DR2G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NCV20072DR2G的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NCV20072DR2G,现有足量库存。NCV20072DR2G的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供NCV20072DR2G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NCV20072DR2G的详细使用方法及教程。

NCV20072DR2G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NCV20072DR2G
描述 IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商 onsemi
库存 4006
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
放大器类型 通用
电路数 2
输出类型 满摆幅
压摆率 2.4V/µs
增益带宽积 3.2 MHz
-3db 带宽 -
电流 - 输入偏置 5 pA
电压 - 输入补偿 1.3 mV
电流 - 供电 420µA(x2 通道)
电流 - 输出/通道 65 mA
电压 - 跨度(最小值) 2.7 V
电压 - 跨度(最大值) 36 V
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC

为智能时代加速到来而付出“真芯”