NCP6334BMTAATBG同步降压转换器-技术参数
作者:斯普仑/ 2023-10-16
技术参数品牌:ON(安森美)型号:NCP6334BMTAATBG批号:2022+数量:30000制造商:ON Semiconductor产品种类:稳压器—开关式稳压器RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WDFN-8输出电压:0.6 V输出电流:2 A开关频率:3 MHz系列:NCP6334B输入电压:2...
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作者:斯普仑/ 2023-10-16
技术参数品牌:ON(安森美)型号:NCP6334BMTAATBG批号:2022+数量:30000制造商:ON Semiconductor产品种类:稳压器—开关式稳压器RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WDFN-8输出电压:0.6 V输出电流:2 A开关频率:3 MHz系列:NCP6334B输入电压:2...
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技术参数品牌:ON/安森美型号:SMP3003-DL-1E封装:TO-263批号:13+数量:552制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-263-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:75 V...
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技术参数品牌:ON/安森美型号:MC33035DWG数量:10000类别:集成电路(IC) PMIC - 电机驱动器,控制器制造商:onsemi电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC)功能:控制器 - 换向,方向管理输出配置:前置驱动器 - 半桥(3)接口:模拟应用:通用电压 - 供电:10V ~ 30V工作温...
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技术参数品牌:ON(安森美)型号:NVMFS6H800NT1G封装:SO-8批号:23+数量:200000制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8FL通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:80 ...
查看详情>>作者:斯普仑/ 2023-10-12
技术参数品牌:ON 安森美型号:FQD2N80TM封装:TO252批号:20+数量:10000类别:分立半导体产品 单 FET,MOSFET制造商:onsemi系列:QFET®Product Status:停产FET 类型:N 通道漏源电压(Vdss):800 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A(Tc)...
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技术参数品牌:STM型号:STD4NK60ZT4封装:TO-252-3 (DPAK)批号:21+/22+数量:20000类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商:STMicroelectronics系列:SuperMESH™FET 类型:N 通道漏源电压(Vdss):600 V25C 时电...
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技术参数品牌:Infineon 英飞凌型号:2ED020I12-FI批号:21+数量:12000制造商:Infineon产品种类:门驱动器RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PG-DSO-18激励器数量:2 Driver输出端数量:2 Output输出电流:1 A配置:Inverting, Non-In...
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技术参数品牌:Infineon 英飞凌型号:IPD35N10S3L-26批号:21+数量:12000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PG-TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连...
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