技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NCV8402ADDR2G |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 55 V |
| Id-连续漏极电流： | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 165 mOhms |
| Pd-功率耗散： | 800 mW |
| 配置： | Dual |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NCV8402AD |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 单位重量： | 506.600 mg |
