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| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FQU17P06TU |
| 封装： | TO-251-3 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 6000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-251-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 12 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 135 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 25 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 6.3 mm |
| 长度： | 6.8 mm |
| 系列： | FQU17P06 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 2.5 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 8.7 S |
| 下降时间： | 60 ns |
| 上升时间： | 100 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 22 ns |
| 典型接通延迟时间： | 13 ns |
| 零件号别名： | FQU17P06TU_NL |
| 单位重量： | 343.080 mg |
描述：
这种p沟道增强型功率MOSFET是使用Fairchild半导体公司的专有平面成熟度和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于夹模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
