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| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MMUN2215LT1G |
| 封装： | SOT-323 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 360000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 |
| 制造商： | onsemi |
| 晶体管类型： | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）： | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1)： | 10 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： | 160 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）： | 500nA |
| 功率 - 最大值： | 400 mW |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
这一系列的数字晶体管旨在取代单个晶体管器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含带有单片偏压的单个晶体管由两个电阻器组成的网络；一个串联基极电阻器和一个基极-发射极电阻器。BRT通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少系统成本和电路板空间。
特色：
•简化电路设计
•减少董事会空间
•减少零部件数量
•S前缀用于要求唯一现场和控制变更要求；AEC-Q101合格且具备PPAP能力
•这些设备是无铅、无卤素/BFR、RoHS的顺从
