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| 品牌： | ISSI |
| 型号： | IS43DR16640C-25DBLI-TR |
| 封装： | N |
| 批号： | 2 |
| 数量： | 2500 |
| 制造商： | ISSI |
| 产品种类： | 动态随机存取存储器 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | BGA-84 |
| 系列： | IS43DR16640C |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 单位重量： | 198 mg |
特性
•Vdd=1.8V±0.1V，Vddq=1.8V？.1V
•JEDEC标准1.8V I/O（兼容SSTL_18）
•双数据速率接口：两次数据传输每时钟周期
•差分数据选通（DQS、DQS）
•4位预取架构
•芯片上DLL，用于对齐DQ和DQS转换带CK
•8家内部银行并行运营
•可编程CAS延迟（CL）3、4、5、6和7支持
•发布的CAS和可编程附加延迟（AL）支持0、1、2、3、4、5和6
•写入延迟=读取延迟-1 tCK
•可编程突发长度：4或8
•可调数据输出驱动强度，完整且强度降低选项
•裸片端接（ODT）
说明：
ISSI的1Gb DDR2 SDRAM使用双倍数据速率架构以实现高速操作。这个双数据速率体系结构本质上是4n预取体系结构，具有设计用于传输两个I/O球处每个时钟周期的数据字。
