技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STP15N80K5 |
| 封装： | TO-220 |
| 批号： | 17+ |
| 数量： | 15000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | SuperMESH5™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 375 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1100 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值）： | 190W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
应用
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描述
这些非常高的电压N通道电源MOSFET是使用MDmesh设计的™ K5基于创新专利的技术垂直结构。结果是戏剧性的降低导通电阻和超低栅极对需要卓越电源的应用程序收费密度和高效率。
