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| 品牌： | MICROCHIP |
| 型号： | SST25VF010A-33-4I-SAE |
| 封装： | SOP-8 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 300 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 管件 |
| 产品族： | 有源 |
| 系列： | 集成电路（IC） |
| 存储器格式： | 闪存 |
| 存储容量： | 1Mb（128K x 8） |
| 时钟频率： | 33MHz |
| 写周期时间 - 字，页： | 20µs |
| 电压 - 供电： | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SST的串行闪存系列具有四线SPI兼容接口，允许低引脚-计数封装占用更少的板空间，并最终降低总系统成本。SST25VF010A SPI串行闪存采用SST专有的高性能制造CMOS超级闪存技术。分裂栅单元的设计和厚氧化物隧道注入器的实现与替代方法相比具有更好的可靠性和可制造性。SST25VF010A设备显著提高了性能，同时降低了功耗。所消耗的总能量是所施加的电压、电流和施加时间的函数。由于对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术使用较少的电流来编程和具有较短的擦除时间，则在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量为少于替代闪存技术。SST25VF010A设备使用单个2.7-3.6V电源。SST25VF010A器件采用8引脚SOIC和8触点WSON封装。见图1用于引脚分配
