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| 品牌： | STMICROELECTRONICS |
| 型号： | STFW3N150 |
| 封装： | SOP12 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 2000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-3PF-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1.5 kV |
| Id-连续漏极电流： | 2.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 9 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 29.3 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 63 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | STFW3N150 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 正向跨导 - 最小值： | 2.6 S |
| 下降时间： | 61 ns |
| 上升时间： | 47 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 45 ns |
| 典型接通延迟时间： | 24 ns |
| 单位重量： | 7 g |
这些功率MOSFET使用公司基于MESH的整合带材布局覆盖，覆盖™ 过程结果是产品匹配或提高其他可比标准零件制造商
