SSVMUN5312DW1T2G技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | SSVMUN5312DW1T2G |
| 封装： | SOT-363 |
| 批号： | 2022+ |
| 数量： | 150000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 预偏置 |
| RoHS： | 是 |
| 系列： | MUN5312DW1 |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | Transistors |
这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻器晶体管（BRT）包含具有单片偏置的单个晶体管由两个电阻器组成的网络；串联基极电阻器和基极-发射极电阻器。BRT消除了这些个人将组件集成到单个设备中。BRT的使用可以降低系统成本和板空间。
特征
•简化电路设计
•减少板空间
•减少组件数量
•汽车和其他应用的S和NSV前缀
需要独特的现场和控制变更要求；AEC-Q101合格和PPAP能力*
•这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS要求顺从的
