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| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | HGTG20N60B3D |
| 封装： | TO-247-3 |
| 批号： | 2021+ |
| 数量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.8 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 20 A |
| Pd-功率耗散： | 165 W |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | HGTG20N60B3D |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 40 A |
| 高度： | 20.82 mm |
| 长度： | 15.87 mm |
| 宽度： | 4.82 mm |
| 集电极连续电流： | 40 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | +/- 100 nA |
| 零件号别名： | HGTG20N60B3D_NL |
| 单位重量： | 6.390 g |
40A，600V UFS系列N通道IGBT，带反并联超快二极管
HGTG20N60B3D是一款MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通态导通损耗。低得多的通态电压下降仅在25°C和150°C之间适度变化。与lGBT反并联使用的二极管是RHRP3060。
IGBT是许多在中等频率下工作的高压开关应用的理想选择，其中低导通损耗是必不可少的。
以前是开发型TA49016。
