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| 品牌： | FAIRCHILD |
| 型号： | FDMS3669S |
| 封装： | POWER56 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 20000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | Power-56-8 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 10 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 34 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 配置： | Dual |
| 商标名： | Power Stage PowerTrench |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 6 mm |
| 系列： | FDMS3669S |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 5 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 正向跨导 - 最小值： | 113 S |
| 下降时间： | 3 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 3 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 24 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9 ns |
| 单位重量： | 171 mg |
概述：
该器件包括两个专用的N沟道MOSFET双PQFN封装。交换机节点已在内部连接以实现同步的轻松放置和布线降压转换器。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFETTM（Q2）设计用于提供最佳功率效率
应用程序：
计算
通讯
通用荷载点
笔记本VCORE
